Декабрьский номер Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics вышел под редакцией работника КГУ
16:19; 3 03 2015
0
1 737
Декабрьский номер научного Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics вышел под редакцией доктора физико-математических наук, доцента кафедры ИТМФ КГУ Вадима Сиркели. Об этом официальный сайт ВУЗа.
В издательстве American Scientific Publishers вышел декабрьский номер журнала Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics (JNO, vol. 9, no. 6 (2014)) под редакцией приглашённых редакторов Андрея Казанского (Московский госуниверситет) и Вадима Сиркели (Комратский госуниверситет).
Специальная секция журнала посвящена применению полупроводниковых наноструктур в фотонике, оптоэлектронике и спинтронике, сообщает новостной портал Gagauzinfo.MD.
Специальная секция содержит серию научных работ, охватывающих различные аспекты физики и инженерии наноструктур, включая теоретические и экспериментальные исследования структурных, транспортных, излучательных и магнитных свойств полупроводниковых наноструктур, а также их применение для изготовления светодиодов, в оптоэлектронике и спинтронике.
Журнал Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics является международным журналом с независимым рецензированием, выпускаемый издательством American Scientific Publishers.
410
